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半导体
发布时间：2016-08-18 21:15发布者：jys02来源：未知
斯坦福大学刚刚在相变内存(PCM)领域实现了一个新的突破：PCM的相变转变速度可比传统DRAM快千倍。今年5月IBM也宣布了一项全新的储存技术能够解决目前的电脑性能瓶颈，其成本已降至可接受的范围，从而可以进入商用阶段。IBM和斯坦福大学相继在相变内存领域取得的重大进展有望推进PCM技术成为主流。相变存储技术是继内存、闪存之后目前世界上最先进的存储技术，可广泛应用于移动设备、大数据存储及云存储平台，被业界视为未来闪存和内存的替代品。其功耗只有现有闪存的一半，但读写速度可达闪存的1000倍。
点评：据预测，在未来30年内，基于PCM技术生产的半导体产品将成为电子存储器产业发展的主要支撑力量。A股中，南大光电生产的MO源、二叔丁基碲，是制造相变存储器的核心原材料;朗科科技300042的多项发明专利已覆盖相变材料等新型存储介质技术。
